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商品目录 功率MOSFET

25°C时电流-连续漏极(Id) 85A(Tc)

FET类型 P 通道

Vgs(最大值) ±16V

不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6.4 毫欧 @ 85A,10V

不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 150uA

不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6580pF @ 25V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 104nC @ 10V

功率耗散(最大值) 88W(Tc)

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 40V

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V